Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
28 nC V @ 10
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 16,24
€ 1,624 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 16,24
€ 1,624 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
28 nC V @ 10
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


