MOSFET N STMicroelectronics 18 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
18A
Tension Drain Source maximum Vds
200V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
125mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
28nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.2 mm
Taille
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2 344,96
€ 0,938 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
Enhancement
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Tension maximale de source de la grille Vgs
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
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Taille
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