MOSFET canal Type N STMicroelectronics 18 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
18A
Tension Drain Source maximum Vds
200V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
125mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
28nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.2 mm
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2 810,23
€ 1,124 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Séries
STripFET
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
28nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.2 mm
Hauteur
2.4mm
Longueur
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