MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 18 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
28 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2 780,28
€ 1,112 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
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Configuration du transistor
Single
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1
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
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