MOSFET P STMicroelectronics 12 A 30 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12nC
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
6.6mm
Taille
2.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 224,41
€ 0,49 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Enrichissement
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12nC
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Longueur
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No
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