MOSFET STMicroelectronics canal Type P, TO-252 12 A Enrichissement 30 V, 3 broches STD26P3LLH6

N° de stock RS: 792-5717Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STD26P3LLH6
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

TO-252

Séries

STripFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

45mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12nC

Dissipation de puissance maximum Pd

40W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Tension directe Vf

1.1V

Température maximale d'utilisation

175°C

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.4mm

Largeur

6.2 mm

Standard automobile

No

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 8,88

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12A

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Type de Boitier

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Séries

STripFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

45mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12nC

Dissipation de puissance maximum Pd

40W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Tension directe Vf

1.1V

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Longueur

6.6mm

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No

Hauteur

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Largeur

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