MOSFET STMicroelectronics canal P, DPAK (TO-252) 12 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Série
STripFET
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 4,5 V
Hauteur
2.4mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,85
€ 0,885 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 8,85
€ 0,885 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 0,885 | € 8,85 |
| 20+ | € 0,84 | € 8,40 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Série
STripFET
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 4,5 V
Hauteur
2.4mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.