MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 2 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,5 nC @ 10 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Série
MDmesh K5, SuperMESH5
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.4mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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CMS
Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
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Single
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1
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Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,5 nC @ 10 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Série
MDmesh K5, SuperMESH5
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