MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 2 A 800 V, 3 broches

N° de stock RS: 829-7072Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STD2N80K5
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2 A

Tension Drain Source maximum

800 V

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

4,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

45000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

+30 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Longueur

6.6mm

Charge de Grille type @ Vgs

9,5 nC @ 10 V

Šířka

6.2mm

Matériau du transistor

Si

Série

MDmesh K5, SuperMESH5

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Höhe

2.4mm

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Prix ​​sur demande

Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 2 A 800 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5Prix ​​sur demande
10Prix ​​sur demande
15Prix ​​sur demande
20Prix ​​sur demande
25Prix ​​sur demande
30Prix ​​sur demande
35Prix ​​sur demande
40Prix ​​sur demande
45Prix ​​sur demande
50Prix ​​sur demande
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60Prix ​​sur demande
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70Prix ​​sur demande
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CMS

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3

Résistance Drain Source maximum

4,5 Ω

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Enrichissement

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5V

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3V

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Single

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+30 V

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Longueur

6.6mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Si

Série

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