MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 35 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
80 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
44,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 275,72
€ 0,51 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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4V
Tension de seuil minimale de la grille
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Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
44,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
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