MOSFET canal Type N STMicroelectronics 2.3 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.3A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-252
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.3Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
45W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
11nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
6.2 mm
Taille
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 007,04
€ 0,403 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.3Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
45W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
11nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Largeur
6.2 mm
Taille
2.4mm
Longueur
6.6mm
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No
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No
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Malaysia
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