MOSFET N STMicroelectronics 3 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh, SuperMESH
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
3A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh, SuperMESH
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
4.8Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
22.7nC
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
6.6mm
Höhe
2.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 16,56
€ 1,656 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 16,56
€ 1,656 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 95 | € 1,656 | € 8,28 |
| 100 - 495 | € 1,298 | € 6,49 |
| 500 - 995 | € 1,102 | € 5,51 |
| 1000+ | € 0,919 | € 4,60 |
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Série
MDmesh, SuperMESH
Typ montáže
Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
4.8Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
22.7nC
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
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Longueur
6.6mm
Höhe
2.4mm
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