MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 3 A 900 V, 3 broches

N° de stock RS: 687-5099PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STD3NK90ZT4
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

3 A

Tension Drain Source maximum

900 V

Séries

MDmesh, SuperMESH

Type de conditionnement

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

4,8 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

90 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

22,7 nC @ 10 V

Largeur

6.2mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.6mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

2.4mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 16,13

€ 1,613 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 3 A 900 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 5
10€ 16,13
15€ 24,19
20€ 32,25
25€ 40,32
30€ 48,38
35€ 56,45
40€ 64,51
45€ 72,57
50€ 80,64
55€ 88,70
60€ 96,76
65€ 104,83
70€ 112,89
75€ 120,95
80€ 129,02

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
10 - 95€ 1,613€ 8,06
100 - 495€ 1,265€ 6,32
500 - 995€ 1,072€ 5,36
1000+€ 0,893€ 4,47

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N

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900 V

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Type de montage

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Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

4,8 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

90 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

6.2mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.6mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

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