MOSFET canal N STMicroelectronics 50 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

STripFET

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

28mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20, +20V

Tension directe Vf

1.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

6.2mm

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

No