MOSFET canal Type N STMicroelectronics 45 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET H7 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET H7
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
18mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
25nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.2 mm
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 741,96
€ 0,697 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 1 741,96
€ 0,697 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2500
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET H7
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
18mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
25nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.2 mm
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.