MOSFET N STMicroelectronics 4 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Maximální napětí na zdroji Vds
800V
Type de Boitier
TO-252
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.73Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
6.6mm
Höhe
2.17mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
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€ 1 859,71
€ 0,744 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Surface
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3
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Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
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