Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-252
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.73Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.17mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Ce transistor MOSFET de puissance à canal N très haute tension est conçu à l'aide de la technologie MDmesh K5 basée sur une structure verticale propriétaire innovante. Le résultat est une réduction spectaculaire de la résistance à l'état passant et de la charge de grille ultra-faible pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 877,90
€ 0,751 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 1 877,90
€ 0,751 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
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2500
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | € 0,751 | € 1 877,90 |
| 5000+ | € 0,734 | € 1 834,16 |
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Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
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Type de Boitier
TO-252
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.73Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.17mm
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Ce transistor MOSFET de puissance à canal N très haute tension est conçu à l'aide de la technologie MDmesh K5 basée sur une structure verticale propriétaire innovante. Le résultat est une réduction spectaculaire de la résistance à l'état passant et de la charge de grille ultra-faible pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement.
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