MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 4 A Enrichissement 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.73Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température maximum de fonctionnement
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
6.2 mm
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.17mm
Standard automobile
No
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€ 1 884,07
€ 0,754 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Tension directe Vf
1.5V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Température minimum de fonctionnement
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