MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 60 A Enrichissement 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Séries
STripFET II
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
16mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
49nC
Tension directe Vf
1.3V
Température de fonctionnement maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Largeur
6.2 mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 810,36
€ 0,724 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Tension directe Vf
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Température de fonctionnement maximum
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Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
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No
Largeur
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