MOSFET canal Type N STMicroelectronics 80 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET F3 AEC-Q101

N° de stock RS: 795-9000Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STD65N55F3
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-252

Séries

STripFET F3

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33.5nC

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.2 mm

Hauteur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Détails du produit

Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 9,69

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Séries

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Surface

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3

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33.5nC

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

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Largeur

6.2 mm

Hauteur

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Longueur

6.6mm

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No

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