MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 80 A Enrichissement 55 V, 3 broches STD65N55F3
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
55V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET F3
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8.5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
33.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Tension directe Vf
1.5V
Température maximale d'utilisation
175°C
Largeur
6.2 mm
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,62
€ 1,925 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Séries
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
33.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Tension directe Vf
1.5V
Température maximale d'utilisation
175°C
Largeur
6.2 mm
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
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