MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 80 A 55 V, 3 broches

N° de stock RS: 795-9000Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STD65N55F3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

80 A

Tension Drain Source maximum

55 V

Séries

STripFET F3

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

8.5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

110000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.2mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.6mm

Charge de Grille type @ Vgs

33,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

2.4mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Production -

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5

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5€ 9,98
10€ 19,97
15€ 29,95
20€ 39,93
25€ 49,92
30€ 59,90
35€ 69,88
40€ 79,87
45€ 89,85
50€ 99,83
55€ 109,82
60€ 119,80
65€ 129,78
70€ 139,77
75€ 149,75

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CMS

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3

Résistance Drain Source maximum

8.5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

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Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.2mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

6.6mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Température de fonctionnement minimum

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