MOSFET de puissance N STMicroelectronics 60 A 100 V Enrichissement, 2 broches, TO-252 STP
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Power MOSFET
Type de canal
N channel
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STP
Type de support
Surface Mount
Nombre de broches
2
Résistance Drain Source maximum Rds
0.0195Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
85nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.6 mm
Longueur
6.2mm
Taille
2.4mm
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€ 0,82
€ 0,82 Each (hors TVA)
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Température d'utilisation minimum
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