Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
DeepGate, STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
36 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,53
€ 0,953 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 9,53
€ 0,953 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,953 | € 9,53 |
| 50 - 90 | € 0,905 | € 9,05 |
| 100 - 240 | € 0,823 | € 8,23 |
| 250 - 490 | € 0,802 | € 8,02 |
| 500+ | € 0,782 | € 7,82 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
DeepGate, STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
36 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.


