MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 80 A 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
DeepGate, STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
36 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 9,49
€ 0,949 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,949 | € 9,49 |
| 50 - 90 | € 0,901 | € 9,01 |
| 100 - 240 | € 0,819 | € 8,19 |
| 250 - 490 | € 0,798 | € 7,98 |
| 500+ | € 0,779 | € 7,78 |
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N
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80 A
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40 V
Série
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Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
36 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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