MOSFET N STMicroelectronics 80 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 DeepGate, STripFET AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Séries
DeepGate, STripFET
Type de Boitier
TO-252
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Largeur
6.2 mm
Taille
2.4mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 884,60
€ 0,754 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Dissipation de puissance maximum Pd
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20 V
Température d'utilisation maximum
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Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Largeur
6.2 mm
Taille
2.4mm
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AEC-Q101
Pays d'origine
China
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