MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 80 A Enrichissement 40 V, 3 broches STD80N4F6
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Tension directe Vf
1.3V
Température maximum de fonctionnement
175°C
Largeur
6.2 mm
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,64
€ 0,964 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,964 | € 9,64 |
| 50 - 90 | € 0,915 | € 9,15 |
| 100 - 240 | € 0,832 | € 8,32 |
| 250 - 490 | € 0,81 | € 8,10 |
| 500+ | € 0,791 | € 7,91 |
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Surface
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Tension directe Vf
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Température maximum de fonctionnement
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Largeur
6.2 mm
Hauteur
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Longueur
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No
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