MOSFET STMicroelectronics canal N, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de conditionnement
ISOTOP
Type de montage
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
130 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
460 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
25.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
38.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
307,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.1mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 314,44
€ 31,444 Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
10
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10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 31,444 | € 314,44 |
| 50 - 90 | € 30,029 | € 300,29 |
| 100 - 190 | € 26,476 | € 264,76 |
| 200 - 490 | € 24,717 | € 247,17 |
| 500+ | € 22,954 | € 229,54 |
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N
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40 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
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Type de conditionnement
ISOTOP
Type de montage
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
130 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
460 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
25.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
38.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
307,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.1mm
Température de fonctionnement minimum
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