MOSFET STMicroelectronics canal Type N, ISOTOP 40 A Enrichissement 600 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
ISOTOP
Type de montage
Panel
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
130mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
307.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
460W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±30 V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
1.3V
Température maximale d'utilisation
150°C
Largeur
25.5 mm
Longueur
38.2mm
Hauteur
9.1mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 306,85
€ 30,685 Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
10
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10
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 30,685 | € 306,84 |
| 50 - 90 | € 29,304 | € 293,04 |
| 100 - 190 | € 25,837 | € 258,37 |
| 200 - 490 | € 24,118 | € 241,18 |
| 500+ | € 22,399 | € 223,99 |
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Panel
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4
Résistance Drain Source maximum Rds
130mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
307.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
460W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±30 V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
1.3V
Température maximale d'utilisation
150°C
Largeur
25.5 mm
Longueur
38.2mm
Hauteur
9.1mm
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