MOSFET STMicroelectronics canal Type N, ISOTOP 53 A Enrichissement 500 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
53A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
ISOTOP
Type de montage
Panel
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
80mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
460W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
310nC
Tension directe Vf
1.6V
Température maximale d'utilisation
150°C
Largeur
25.5 mm
Hauteur
9.1mm
Longueur
38.2mm
Normes/homologations
No
Distrelec Product Id
171-00-934
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 35,03
€ 35,03 Each (hors TVA)
1
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 35,03 |
| 10 - 49 | € 32,32 |
| 50 - 99 | € 30,84 |
| 100 - 199 | € 27,20 |
| 200+ | € 25,39 |
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Panel
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4
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
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Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
310nC
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Température maximale d'utilisation
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Largeur
25.5 mm
Hauteur
9.1mm
Longueur
38.2mm
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No
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