MOSFET N STMicroelectronics 53 A 500 V Enrichissement, 4 broches, ISOTOP MDmesh, SuperMESH
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
53A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
ISOTOP
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Panel
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum Rds
80mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
310nC
Dissipation de puissance maximum Pd
460W
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
38.2mm
Taille
9.1mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 269,37
€ 26,937 Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
10
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Longueur
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Taille
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