MOSFET canal Type N STMicroelectronics 53 A 500 V Enrichissement, 4 broches, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
53A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
ISOTOP
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Panel
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
80mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
460W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
310nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
25.5 mm
Taille
9.1mm
Longueur
38.2mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 260,92
€ 26,092 Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
10
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
460W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
310nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Largeur
25.5 mm
Taille
9.1mm
Longueur
38.2mm
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