Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
53A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
ISOTOP
Type de montage
Panel
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
80mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
310nC
Dissipation de puissance maximum Pd
460W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température maximale d'utilisation
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
25.5 mm
Longueur
38.2mm
Hauteur
9.1mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 262,16
€ 26,216 Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
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STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
53A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
ISOTOP
Type de montage
Panel
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
80mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
310nC
Dissipation de puissance maximum Pd
460W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température maximale d'utilisation
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
25.5 mm
Longueur
38.2mm
Hauteur
9.1mm
Standard automobile
No
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