MOSFET de puissance FDmesh II STMicroelectronics canal Type N, TO-220FP 10 A Enrichissement 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET de puissance FDmesh II
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220FP
Séries
FDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.45Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
±25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
30nC
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Tension directe Vf
1.3V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N FDmesh™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 105,41
€ 2,108 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
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Dissipation de puissance maximum Pd
90W
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Température de fonctionnement maximum
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Largeur
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Hauteur
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