MOSFET de puissance FDmesh II N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP FDmesh

N° de stock RS: 761-2745PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STF11NM60ND
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Documents techniques

Spécifications

Type du produit

MOSFET de puissance FDmesh II

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220FP

Séries

FDmesh

Type de support

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.45Ω

Mode de canal

Enhancement

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Tension maximale de source de la grille Vgs

±25 V

Température de fonctionnement minimum

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6 mm

Taille

16.4mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N FDmesh™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 42,93

Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

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-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

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Taille

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