Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET de puissance FDmesh II
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220FP
Séries
FDmesh
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.45Ω
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±25 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
30nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Taille
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N FDmesh™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 42,93
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 42,93
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
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Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET de puissance FDmesh II
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220FP
Séries
FDmesh
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.45Ω
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±25 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
30nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Taille
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit


