MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh M2
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Hauteur
16.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 42,68
€ 0,854 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,854 | € 42,68 |
| 100+ | € 0,81 | € 40,52 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
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Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
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1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Hauteur
16.4mm
Pays d'origine
China
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