MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh M2
Type de conditionnement
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
16.4mm
Tension directe de la diode
1.6V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 8,76
€ 1,752 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,752 | € 8,76 |
| 10+ | € 1,666 | € 8,33 |
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Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
16.4mm
Tension directe de la diode
1.6V
Pays d'origine
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