MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 11 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
MDmesh
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
360 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
16.4mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 20,77
€ 2,08 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Paquet de production (Tube)
10
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 2,08 |
| 100 - 499 | € 1,65 |
| 500 - 999 | € 1,48 |
| 1000+ | € 1,24 |
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N
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11 A
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
360 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
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