MOSFET de puissance STMicroelectronics canal Type N, TO-220FP 11 A Enrichissement 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
Power MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220FP
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.34Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Tension maximale de source de la grille Vgs
±25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
22nC
Dissipation de puissance maximum Pd
85W
Température de fonctionnement maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 44,80
€ 0,896 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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MDmesh M5
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Tension maximale de source de la grille Vgs
±25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
22nC
Dissipation de puissance maximum Pd
85W
Température de fonctionnement maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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