MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 12 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
A-220
Série
MDmesh M2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
320 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Tension directe de la diode
1.6V
Hauteur
16.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 71,03
€ 1,421 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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25 W
Configuration du transistor
Single
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Tension directe de la diode
1.6V
Hauteur
16.4mm
Pays d'origine
China
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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