MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 12 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 906-2773Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STF16N60M2
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

12 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Série

MDmesh M2

Type de conditionnement

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

320 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

25 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

19 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

16.4mm

Tension directe de la diode

1.6V

Pays d'origine

China

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics

Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 2,228 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 2,228€ 11,14
25 - 45€ 2,162€ 10,81
50 - 120€ 2,105€ 10,52
125 - 245€ 2,055€ 10,27
250+€ 2,00€ 10,00

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12 A

Tension Drain Source maximum

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Série

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Type de conditionnement

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

320 mΩ

Mode de canal

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Dissipation de puissance maximum

25 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Hauteur

16.4mm

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