MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 13 A 650 V, 3 broches

N° de stock RS: 786-3647Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STF18N60M2
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

13 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Série

MDmesh M2

Type d'emballage

A-220

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

280 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

25 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Longueur

10.4mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

21,5 nC @ 10 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Hauteur

16.4mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics

Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 12,96

€ 2,592 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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N

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13 A

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Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

280 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

25 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Longueur

10.4mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

21,5 nC @ 10 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Hauteur

16.4mm

Température de fonctionnement minimum

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