MOSFET N STMicroelectronics 17 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
10.4mm
Höhe
16.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 74,85
€ 1,497 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 74,85
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,497 | € 74,85 |
| 100 - 450 | € 1,238 | € 61,91 |
| 500 - 950 | € 1,205 | € 60,24 |
| 1000 - 4950 | € 1,175 | € 58,74 |
| 5000+ | € 1,145 | € 57,24 |
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Type N
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Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
10.4mm
Höhe
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