MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 17 A Enrichissement 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température maximale d'utilisation
150°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 92,81
€ 1,856 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,856 | € 92,81 |
| 100 - 450 | € 1,535 | € 76,77 |
| 500 - 950 | € 1,494 | € 74,71 |
| 1000 - 4950 | € 1,457 | € 72,87 |
| 5000+ | € 1,42 | € 70,98 |
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Type N
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Tension Drain Source maximum Vds
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Séries
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température maximale d'utilisation
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Longueur
10.4mm
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No
Largeur
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