Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3,59
€ 3,59 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 3,59
€ 3,59 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 3,59 |
| 2+ | € 3,41 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit


