MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 20 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
165 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
16.4mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 168,42
€ 3,368 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
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Single
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-25 V, +25 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
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Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
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