MOSFET canal Type N STMicroelectronics 20 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh Non

N° de stock RS: 761-2792PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STF26NM60N
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Séries

MDmesh

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

165mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

35W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

60nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

4.6 mm

Hauteur

16.4mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Résistance Drain Source maximum Rds

165mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

35W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

60nC

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