MOSFET N STMicroelectronics 20 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
165mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
60nC
Dissipation de puissance maximum Pd
35W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
10.4mm
Höhe
16.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 6,53
€ 6,53 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
1
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Série
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3
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60nC
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Longueur
10.4mm
Höhe
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