Module MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 25 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 202-5509Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STF33N60DM6
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

25 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Séries

ST

Type de boîtier

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

0,115 Ω

Mode de canal

Depletion

Tension de seuil maximale de la grille

4.75V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

SiC

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Tout voir dans Transistors MOSFET

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Prix ​​sur demande

Each (In a Tube of 50) (hors TVA)

Module MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 25 A 600 V, 3 broches

Prix ​​sur demande

Each (In a Tube of 50) (hors TVA)

Module MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 25 A 600 V, 3 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

25 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Séries

ST

Type de boîtier

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

0,115 Ω

Mode de canal

Depletion

Tension de seuil maximale de la grille

4.75V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

SiC

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus