MOSFET canal Type N STMicroelectronics 2.5 A 1 kV Enrichissement, 3 broches, TO-220 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.5A
Tension Drain Source maximum Vds
1kV
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
18nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 16,02
€ 3,205 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Température minimum de fonctionnement
-55°C
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18nC
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Longueur
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