MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 110 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
STripFET H7
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
72 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 14,90
€ 0,596 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
€ 14,90
€ 0,596 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 0,596 | € 2,98 |
| 50 - 120 | € 0,58 | € 2,90 |
| 125 - 245 | € 0,564 | € 2,82 |
| 250+ | € 0,55 | € 2,75 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
STripFET H7
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
72 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.