IGBT, STGB20H60DF, , 40 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
40 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
167 W
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 9.35 x 4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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