MOSFET canal Type N STMicroelectronics 7 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, Ruban et bobine Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
7A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Tape & Reel
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.9Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
10.4 mm
Longueur
15.8mm
Hauteur
4.7mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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€ 10,48
€ 10,48 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 10,48
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 10,48 |
| 10 - 99 | € 9,97 |
| 100 - 249 | € 9,47 |
| 250 - 499 | € 8,99 |
| 500+ | € 8,54 |
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Type de Boitier
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
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