MOSFET N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK DeepGate, STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK
Série
DeepGate, STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.9mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
117nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Taille
4.8mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,02
€ 3,512 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 7,02
€ 3,512 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,512 | € 7,02 |
| 10 - 18 | € 3,332 | € 6,66 |
| 20 - 48 | € 3,003 | € 6,01 |
| 50 - 98 | € 2,703 | € 5,41 |
| 100+ | € 2,576 | € 5,15 |
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Type N
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110A
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H2PAK
Série
DeepGate, STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.9mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
117nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Taille
4.8mm
Longueur
10.4mm
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No
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No
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STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
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